Unterschiede

Hier werden die Unterschiede zwischen zwei Versionen angezeigt.

--- halbleiterschutz:loeschungsverfahren [2022/09/08 08:05] – angelegt mfreund
+++ halbleiterschutz:loeschungsverfahren [2023/07/25 08:28] (aktuell) – Externe Bearbeitung 127.0.0.1
@@ Zeile 1: / Zeile 1: @@
+====== Löschungsverfahren ======
+<note>
+**§ 8 (3) HalblSchG**
+Betreffen die Löschungsgründe nur einen Teil der Topographie, so wird die Eintragung nur in diesem Umfang gelöscht.
+</note>
+<note>
+**§ 8 (4) HalblSchG**
+Die Löschung der Eintragung der Topographie nach den Absätzen 1 bis 3 ist beim Deutschen Patent- und Markenamt schriftlich zu beantragen. Der Antrag muß die Tatsachen angeben, auf die er gestützt wird. Die Vorschriften des § 81 Abs. 6 und des § 125 des Patentgesetzes sind entsprechend anzuwenden.
+</note>
+<note>
+**§ 8 (5) HalblSchG**
+Die Vorschriften des Gebrauchsmustergesetzes über das Löschungsverfahren (§ 17) und über die Wirkung des Löschungsverfahrens auf eine Streitsache (§ 19) sind entsprechend anzuwenden.
+</note>
+===== siehe auch =====
+HalblSchG -> [[Halbleiterschutzgesetz]]